题名
低内阻Trench MOSFET结构仿真研究
DOI
10.12721/ccn.2022.157103
作者
崔同 周晓军 刁伟敏 郑磊 陈玮
作者单位
济南市半导体元件实验所，山东省济南市，250014
摘要
沟槽栅（Trench）MOSFET以其通态电阻低，开关速度快的特点占据了主导地位。为降低通态电阻，研究在不同Pwell深度下对导通电阻的影响，在不同外延长度下，沟槽深度对耐压的影响，随着对沟槽深度的增加，Trench MOSFET的耐压随之下降，导通电阻随着减小。
关键词
TrenchMOSFET；低内阻
刊名
中国科学研究
ISSN
3008-007X
年、卷(期)
202212
所属期刊栏目
工程技术
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