题名
亚100nm NMOSFET的沟道反型层量子化效应研究
DOI
作者
贺永宁 李宗林 朱长纯
作者单位
西安交通大学电信学院，陕西西安，7100492
摘要
介绍了CMOS技术发展到亚100nm所面临的挑战.针对尺寸量子化效应,建立了NMOSFET的反型层电子量子化模型,分析了反型层量子化效应对NMOSFET器件参数包括有效栅氧厚度、阈值电压等的影响.得出结论,反型层量子化效应致使反型层电子分布偏离表面,造成有效栅氧厚度的增加,阈值电压的波动达到约10%。
关键词
亚100nmCMOS；沟道反型层量子化；栅氧厚度；阈值电压
刊名
纳米技术研究
ISSN
3078-9435
年、卷(期)
20182
所属期刊栏目
工程技术
打印
