题名
不同晶化处理方式对PZT薄膜性能的影响
DOI
作者
李敏 惠春 汪静
作者单位
上海交通大学
摘要
采用改进的溶胶-凝胶(sol-gel)法在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备PZT薄膜,研究不同的晶化处理方式对PZT薄膜的微观结构、表面形貌及电学性能的影响.实验结果表明:快速晶化处理方式更有利于薄膜沿(110)方向的择优生长;并且相对于常规晶化处理方式,快速晶化处理方式制备的PZT薄膜晶粒均匀,排布有序,可有效的提高薄膜的表面质量.电学性能测试结果表明,这种表面形貌可以有效地降低漏电流。
关键词
PZT薄膜；XRD；AFM；漏电流；溶胶-凝胶
刊名
纳米技术研究
ISSN
3078-9435
年、卷(期)
20213
所属期刊栏目
工程技术
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