题名
氮化镓GaN在射频RF功率放大器的应用
DOI
作者
刘晓文
作者单位
贵州大学物理学院
摘要
对于提供最佳功率、效率和带宽的权衡促进了各种不同的研发技巧和半导体技术。每一种不同拓扑和技术都有可能在半导体市场占据一席之地,这是因为它们每一个都有优势,这也是它们能够在当前生存的原因所在。这里关注几个值得信赖的结果,展现这些当前技术在实现高功率、效率和带宽时的可能性。
关键词
功率放大器；射频；氮化镓；兰格耦合器
刊名
电路系统研究
ISSN
3078-9702
年、卷(期)
20186
所属期刊栏目
工程技术
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