题名
梳齿型深硅刻蚀工艺研究
DOI
作者
张旭1,2 张迪雅1,2
作者单位
1.中北大学仪器与电子学院；2.山西省自动化检测装备与系统工程技术研究中心
摘要
为实现Faims气体传感器梳齿型离子迁移区的设计,文中采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术进行大深宽比梳齿型结构的深硅刻蚀。影响刻蚀的工艺参数主要包括RF功率、腔室压力、气体流量等,通过调节刻蚀气体SF6流量、腔室压力等参数进行试验,分析工艺参数对刻蚀速率、表面形貌和侧壁垂直度的影响,选出最优工艺参数。根据选出的最优工艺参数,刻蚀出了侧壁光滑、垂直度为90°的梳齿型迁移区。
关键词
深硅刻蚀；大深宽比；刻蚀速率；工艺参数
刊名
传感器研究
ISSN
3079-0042
年、卷(期)
20188
所属期刊栏目
数学与物理
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