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基于需求响应的分时电价主从博弈建模与仿真研究 下载：77 浏览：448

胡鹏1，2 艾欣1 张朔1 潘玺安1 《电网技术研究》 2020年5期

摘要:
为实现提高供电方收益,同时减少用电方支出及减小峰谷差的目的,建立了以供电方为强势方、用电方为弱势方的主从博弈模型,提出了一种最优分时电价策略。首先考虑用户满意度与电力波动成本建立了供电方收益目标函数和用电方收益方目标函数。然后,通过决策变量映射集技术将模型中的变量分到博弈双方策略集。接着,先由弱势方跟随强势方以自身目标函数最优对自身策略空间进行优化,强势方根据弱势方的跟随对策以自身目标函数最优为目标对自身策略空间进行优化,并由所有的优化结果组成新的博弈策略组合,经过多轮博弈得到博弈均衡解。根据主从博弈特点,作为强势方的供电方将得到较高的收益和满意度,作为弱势方的支出也能得到一定程度的降低。

C8-BTBT薄膜结晶形貌及OTFT器件性能研究 下载：32 浏览：439

黄玲玲1，2 陈幸福1，2 胡鹏1，2 李博1，2 王向华1，2 胡俊涛1，2 《光电子进展》 2020年2期

摘要:
以p型共轭有机小分子2,7二辛基[1]苯并噻吩并[3,2-b]苯并噻吩(C8-BTBT)作为底栅顶接触有机薄膜晶体管(OTFT)的有源层,采用浸渍提拉法、喷墨打印法和真空蒸镀法三种制备工艺,探究半导体薄膜载流子迁移率与结晶形貌的关系,发现不同工艺下有机小分子呈现出不同的生长行为和结晶情况,在很大程度上决定了OTFT器件性能的优劣;此外,通过XRD分析研究了退火处理对C8-BTBT结晶的影响。结果表明,真空蒸镀制备的薄膜具有更高的结晶度、衬底覆盖率高,并且呈现出SK(Stranski-Krastanov)模式的结晶生长特征,相应器件中陷阱密度最低,迁移率高达5.44 cm2·V-1·s-1,开关比超过106;且退火处理会严重破坏C8-BTBT薄膜的结晶。因此,控制半导体层的生长行为,提升半导体层的覆盖率和结晶度是制备高性能共轭小分子OTFT器件的有效途径。
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