随着摩尔定律的持续推进，集成电路产业对高封装密度和大量晶体管集成的需求日益增长。混合键合技术作为一种先进的封装技术，因其独特的原理和显著特点，在提升3D封装密度与实现万亿级晶体管集成路径方面发挥着关键作用。该技术通过金属 - 金属和金属 - 氧化物键合相结合，实现了高密度的电学互联和良好的机械强度。然而，其在应用过程中面临散热、信号干扰等挑战。针对散热问题，可通过优化散热结构与材料来解决；对于信号干扰，则可采用优化布线、屏蔽设计等措施。混合键合技术对集成电路产业的意义重大，有望推动产业向更高性能、更小型化方向发展。
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