我要投稿 查看投稿进度
学术期刊
在线客服
客服电话：400-188-5008
客服邮箱：service@ccnpub.com
投诉举报：feedback@ccnpub.com
人工客服

工作时间（9：00-18：00）
官方公众号

科技成果·全球共享

请选择 目标期刊

LV/HV Twin-Well BCD[B]技术(2)芯片与制程剖面结构 下载：56 浏览：322

潘桂忠1,2 《电路系统研究》 2019年12期

摘要:
LV/HV Twin-Well BCD[B]技术(2)能够实现MOS器件低压5 V与高压100～700 V (或更高)和双极型器件低压5 V与高压30～100 V兼容的BCD工艺。为了便于高低压器件兼容集成,采用源区为硼磷双扩散形成沟道的具有漂移区的偏置栅结构的HV LDMOS器件,亦同时形成HV双极型器件。改变漂移区的长度,宽度,结深度以及掺杂浓度等可以得到不同的高电压。采用芯片结构设计、工艺与制造技术,依该技术得到了芯片制程结构。
[1/1]
|<
<
1
>
>|
在线客服：：点击联系客服
联系电话：：400-188-5008
客服邮箱：：service@ccnpub.com
投诉举报：：feedback@ccnpub.com
人工客服

工作时间（9：00-18：00）
官方公众号

科技成果·全球共享