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Ku频段100 W氮化镓发射机设计 下载:41 浏览:297

刘立浩 王雷 薛腾 《无线电研究》 2020年3期

摘要:
针对砷化镓发射机体积大的问题,基于氮化镓功率放大器芯片,研制了一款Ku频段小型化100 W发射机。在改进型波导E-T结和波导—微带探针过渡结构基础上,提出了一种新型四路功率分配/合成结构。发射机机箱采用三明治结构,使用Icepak软件对整机进行了热仿真分析。经测试,发射机在13.75~14.5 GHz频率范围内输出功率大于126 W,整机功率合成效率大于91%。

S频段800W室外型连续波固态功率放大器设计 下载:61 浏览:362

李春辉 解冰一 《无线电研究》 2019年7期

摘要:
针对现有室内固态功放体积大,馈线系统设计复杂的问题,提出了一种新型结构形式的高功率、高效率和小体积固态功率放大器。给出了高密度、大功率径向合成的原理及设计方法,对径向合成网络进行了建模仿真,通过优化达到了功放设计所需的性能指标。基于8个功放模块和8路径向合成网络,设计了一种室外型固态功率放大器,在所需频段实现了大于800 W的输出功率,整机效率高于40%。

X波段10W功率合成放大器的设计与实现 下载:70 浏览:384

薄淑华 刘瑜 现任程 《无线电研究》 2019年4期

摘要:
单个功放芯片输出功率的能力非常有限,通过研究平面功率合成网络的基本原理和设计方法,提出了一种基于平面功率合成技术的4路功率合成网络。测试结果表明,输出端口幅度一致性较好,输出端口的相位差小于4°,驻波小于1.5,两端口隔离度大于15 dB。设计并实现了工作在X波段、输出功率为10 W的功率合成放大器,并通过实际测试得到放大器的输出功率大于10 W,合成效率大于82%,与设计预期相符。

桥接T型二极管组探测器阵列设计与性能 下载:55 浏览:460

徐梦洁 文化锋 王红华 武晴涛 《数据与科学》 2019年3期

摘要:
文章在对桥接T型结构和行波阵列式特点分析的基础上,结合二极管组结构提出了一种桥接T型二极管组探测器阵列新结构。即通过并联相同两个级联的光电二极管,以此4个二极管构成一个并行二极管组。再将其嵌入到能使带宽增强?倍的桥接T型结构中,形成单个阵列单元。最后,根据行波阵列式结构,将阵列单元级联起来形成桥接T型二极管组探测器新结构。在EDA平台上,对该阵列单元模拟仿真,再与已有的行波光电探测器在功率合成、工作带宽、频率响应等方面对比分析。仿真结果表明,在应用相同二极管数目的条件下,且每个新阵列单元只多增加一个电容元件,阵列输出功率合成降低一半,工作带宽却提高?倍,响应速率提升3τ。降低的功率可通过级联新阵列单元进行功率进一步合成。研究结果表明,此阵列结构精简,不仅有效提高响应速度,更在在工作带宽、功率合成上都表现出了极高极好的性能。

一种基于片上功率合成的多馈双频贴片天线 下载:53 浏览:451

曾维远 储龙威 《天线研究》 2024年1期

摘要:
本文提出了一种基于多馈源片上功率合成的双频贴片天线,天线由双频贴片天线、寄生贴片、和馈电探针组成,除了能像传统的天线一样辐射电磁能量外,该设计还能实现天线上的功率合成,并且不需要使用功率合成器,可以避免功率合成器造成的额外损耗以及过大的天线尺寸。该设计根据天线不同谐振的场分布设计端口位置,实现和单馈源天线相同的谐振频率和方向图。仿真结果表示,该设计可以实现在4.1GHz和4.68GHz频段内的功率合成。

双频段功率合成多馈天线设计 下载:51 浏览:442

金东泽1 陈益1 华昌洲2 《天线研究》 2020年1期

摘要:
为实现发射功率的提升,本文基于多个馈源与天线的直连结构,提出了一种新型双频段功率合成多馈天线设计方法。该设计方法在保持发射前端小型化的同时减小了功率合成引起的损耗。通过利用叠层短路天线实现双频段的特性,且此双工作频段几乎不受天线馈电点个数影响。为验证此设计方法,在一叠层短路天线结构中分别添加了单、双和三馈电点。仿真结果表明,该天线工作频段的中心频点(2.15GHz和2.53GHz)以及10-dB带宽(2.09~2.21GHz和2.50~2.55GHz)保持稳定,从而验证了通过增加天线馈电点数目实现双频段发射功率提升的可行性。

高性能光电探测器阵列结构技术研究 下载:51 浏览:452

徐敏松 文化锋 汪瑞 《天线研究》 2018年2期

摘要:
基于光纤无线电(ROF)基站对高功率,大带宽的光电探测器的需求问题,通过在经典阵列结构中级联光电探测器的方法扩大带宽。提出一种将两个π型单元并联组合成一个单元结构,将n个单元结构阵列进行级联形成n元阵列结构。为满足终端负载匹配,并联之后内部单个π型结构电感是原来单个π型单元的两倍,同时将单个光电二极管由两个光电二极管串联代替,满足单元结构的电感与结电容的比值保持一致。在此基础上对光电二极管由两个光电二极管串联之后并联,再将光电探测器与电容级联接入电感中形成单元结构以实现更大的带宽需求。新设计出的阵列结构的带宽是经典π-型与T型阵列结构带宽的2倍,输出功率远高于经典π型与T型阵列结构。
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