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深亚微米BiCMOS[B]芯片与制程剖面结构 下载：95 浏览：492

潘桂忠1,2 《电路系统研究》 2018年3期

摘要:
深亚微米BiCMOS[B]技术能够实现双极型与CMOS元器件兼容的工艺。为了便于集成,以双极型制程为基础,引入Twin-Well CMOS元器件工艺,在同一硅衬底上实现兼容的BiCMOS[B]工艺。采用深亚微米BiCMOS[B]集成电路芯片结构设计的工艺与制造技术,依该技术得到了芯片制程结构。
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