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基于拉曼热测量技术的铜基复合物法兰GaN基晶体管的热阻分析 下载：59 浏览：433

刘康1 孙华锐1，2 《现代物理学报》 2020年3期

摘要:
采用拉曼热测量技术结合有限元热仿真模型，分析比较新型铜/石墨复合物法兰封装与传统铜钼法兰封装的GaN器件的结温与热阻，发现前者的整体热阻比铜钼法兰器件的整体热阻低18.7%，器件内部各层材料的温度分布显示铜/石墨复合物法兰在器件中的热阻占比相比铜钼法兰在器件中的热阻占比低13%，这证明使用高热导率铜/石墨复合物法兰封装提高GaN器件热扩散性能的有效性.通过对两种GaN器件热阻占比的测量与分析，发现除了封装法兰以外，热阻占比最高的是GaN外延与衬底材料之间的界面热阻，降低界面热阻是进一步提高器件热性能的关键.同时，详细阐述了使用拉曼光热技术测量GaN器件结温和热阻的原理和过程，展示了拉曼光热技术作为一种GaN器件热特性表征方法的有效性.

基于自动温控光谱测试系统的深紫外LED光电特性研究 下载：78 浏览：464

林丹 王巧 王君君 胡金花 卢瀚仑 刘宁炀 陈志涛 《材料科学研究》 2019年5期

摘要:
为研究温度对AlGaN基274nm深紫外LED光电参数的影响.基于自动温控深紫外光谱分析测量系统的测试结果表明,在25～100℃范围内该深紫外LED的工作电压和基板温度呈负线性关系,温度系数约为-8.79 mV/℃,较大的温度系数可能来源于深紫外LED中p-AlGaN较低的掺杂浓度.通过瞬态和稳态工作电压测试及结合温度系数,计算得到深紫外LED样品的热阻为20.8℃/W,该热阻对应芯片PN结到管壳引脚之间的导热通道.随温度升高,该深紫外LED峰值波长的稳定性和单色性较好.该深紫外LED辐射光谱由UVA、UVB和UVC三种成分组成；随着温度升高,UVA和UVC成分减少,UVB成分增加,UVB成分可能来源于器件中低Al组分外延层材料吸收量子阱发光后的二次辐射.研究表明,温度对深紫外LED的工作电压、热阻以及辐射光谱等性能有着重要影响,相关光电参数的准确测量需要精确控温.
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