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Al预沉积层对金属有机物化学气相沉积方法在Si衬底上生长AlN缓冲层和GaN外延层的影响 下载：60 浏览：429

甄龙云1 彭鹏2 仇成功1 郑蓓蓉1 Antonios Armaou1,3 钟蓉1 《材料科学研究》 2020年11期

摘要:
采用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)在硅(Si)衬底制备铝/氮化铝/氮化镓(Al/AlN/GaN)多层薄膜,使用光学显微镜(OM)、原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)等手段表征AlN和GaN薄膜的微观结构和晶体质量,研究了TMAl流量对AlN薄膜和GaN薄膜的形核和生长机制的影响。结果表明,预沉积Al层能促进AlN的形核和生长,进而提高GaN外延层的薄膜质量。TMAl流量太低则预沉积Al层不充分,AlN缓冲层的质量取决于由形核长大的高结晶度AlN薄膜与在气氛中团聚长大并沉积的低结晶度AlN薄膜之间的竞争,AlN薄膜的质量随着TMAl流量的升高而提高,GaN薄膜的质量也随之提高。TMAl流量太高则预沉积Al层过厚,AlN缓冲层的质量取决于由形核长大的高结晶度AlN薄膜与Al-Si回融蚀刻之间的竞争,AlN薄膜的质量随着TMAl流量的升高而降低,GaN薄膜的质量也随之降低。

溶胶-凝胶法制备YBCO薄膜及其缓冲层 下载：84 浏览：511

​马怀香 赵高扬 《纳米技术研究》 2018年4期

摘要:
采用溶胶-凝胶法在硅基板上先分别制备钇稳定氧化锆(YSZ)和钛酸锶(STO)两种薄膜缓冲层.再以钇、钡和铜的醋酸盐为起始原料,选用三种络合剂,配制出了均匀、稳定的YBCO溶胶;采用提拉法,分别在不同过渡层上制备了YBCO薄膜.进一步对YBCO纳米薄膜的热处理工艺、薄膜形貌和微观组织结构进行了初步研究。
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