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反应物浓度诱导CVD SiC结构的转变 下载：77 浏览：487

黄东1,2 王昊3 何雨恬3 王秀连3 刘桦3 邓畅光3 林松盛3 张明瑜2 《材料科学研究》 2019年6期

摘要:
利用低密度的C/C复合材料为沉积基体,通过化学气相沉积法制备气相生长SiC,分析并研究了不同沉积位置和反应物浓度下气相生长SiC的微观形貌和物相组成.结果表明,随着反应物气体浓度的降低,多孔C/C复合材料基体上气相生长的SiC的微观结构呈区域性变化,SiC薄膜依次向SiC薄膜和颗粒、SiC短棒、SiC纳米线转变.探讨了不同反应物浓度气氛中过饱和度诱导原子迁移和气相分子吸附的过程,并提出一个SiC的生长模型.

不同碳基体CVD SiC涂层的制备及其微观结构研究 下载：97 浏览：483

王昊1 黄东2,3 何雨恬1 王秀连1 邓畅光1 林松盛1 《材料科学研究》 2019年3期

摘要:
分别以高纯石墨、细颗粒石墨及低密度的C/C复合材料为基体,以MTS为SiC的先驱体原料,采用化学气相沉积工艺制备SiC涂层.通过扫描电镜(SEM)观察CVD SiC涂层的微观形貌,利用X射线衍射仪(XRD)分析其晶体结构.研究发现,在不同沉积基体上沉积的SiC晶体形貌不同.以高纯石墨为基体的试样表面基本不存在SiC晶须的生长特征；以细颗粒石墨为基体的试样的表面发现了SiC晶须的生长特征,且基体内部的SiC晶体具有一定的CVI特征,即靠近基体内部沉积的SiC晶体逐渐由SiC晶须变为SiC纳米线；以C/C复合材料为基体的试样内部和表面沉积的SiC晶体表现出多元化的形貌,以层状SiC晶体和SiC晶须为主,主要是由基体材料微观结构的多元化而导致沉积的微区气氛有所不同造成的.

H13模具钢表面电火花沉积层工艺及其性能研究 下载：99 浏览：495

李福海 代明江 陈兴驰 邓畅光 马文有 《材料科学研究》 2018年1期

摘要:
以部分烧结的WC-Co硬质合金为电极,采用电火花沉积的方法,在H13钢基体表面制备了沉积层,并对影响沉积过程的电极极性、电流及脉冲持续时间等3个关键参数进行了优化,系统测试了硬化层的微观结构和性能.结果表明:负极性连接时,基体表面形成了明显的表面沉积层;在优化的条件下(负极性连接、电流为7A、脉冲持续时间为15ms)和2h电火花处理后,得到了性能优良的沉积层,该沉积层成分具有电极(W和C)及基体的成分(Fe),沉积层的白亮层厚度超过30μm,硬度超过1330Hv,有望在模具行业及耐磨领域中有一定的应用前景.
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