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Al预沉积层对金属有机物化学气相沉积方法在Si衬底上生长AlN缓冲层和GaN外延层的影响 下载：60 浏览：430

甄龙云1 彭鹏2 仇成功1 郑蓓蓉1 Antonios Armaou1,3 钟蓉1 《材料科学研究》 2020年11期

摘要:
采用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)在硅(Si)衬底制备铝/氮化铝/氮化镓(Al/AlN/GaN)多层薄膜,使用光学显微镜(OM)、原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)等手段表征AlN和GaN薄膜的微观结构和晶体质量,研究了TMAl流量对AlN薄膜和GaN薄膜的形核和生长机制的影响。结果表明,预沉积Al层能促进AlN的形核和生长,进而提高GaN外延层的薄膜质量。TMAl流量太低则预沉积Al层不充分,AlN缓冲层的质量取决于由形核长大的高结晶度AlN薄膜与在气氛中团聚长大并沉积的低结晶度AlN薄膜之间的竞争,AlN薄膜的质量随着TMAl流量的升高而提高,GaN薄膜的质量也随之提高。TMAl流量太高则预沉积Al层过厚,AlN缓冲层的质量取决于由形核长大的高结晶度AlN薄膜与Al-Si回融蚀刻之间的竞争,AlN薄膜的质量随着TMAl流量的升高而降低,GaN薄膜的质量也随之降低。

多孔镍阴极导电能力的研究 下载：144 浏览：1467

李星 《装备技术研究》 2023年7期

摘要:
针对浸没式多孔镍阴极给电发生镀透性差、预沉积时间长的问题，研究了镀镍海绵的生产设备和制造条件，通过研究多孔镍阴极导电的机理，优化设备结构和维护方法，达到了降低成本和消除镀透性不良的效果。
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