基于4GLET高增益微带天线阵列一体化
黄杨 黄季甫
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参考文献( GB/T 7714-2015 ) 复制

黄杨 黄季甫,. 基于4GLET高增益微带天线阵列一体化[J]. 天线研究,2020.6. DOI:.
摘要:
提出了一种新型的同轴馈电和高增益的阵列天线。提出的天线主要是由两层板构成,上面是辐射层,下层是功率分配器网络,由同轴馈电到辐射元,每个天线单元的方向图均朝上,可以产生大增益,实现覆盖LTE频段(1.7-1.9Ghz)的天线,该天线单元在通带内实现8.4dBi的平均增益,带外抑制水平超过21dB。
关键词: 同轴馈电阵列天线LTE频段高增益功分器
DOI:
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