利用微波等离子体化学气相沉积法，对单晶金刚石（100）晶面边缘进行精细切割抛光处理，形成偏离（100）晶面不同角度的倾斜面，在CH4/H2反应气体中进行同质外延生长，研究单晶金刚石边缘不同角度倾斜面对边缘金刚石外延生长的影响.实验结果表明，边缘倾斜面角度对边缘的单晶外延生长质量有影响，随着单晶金刚石边缘倾斜面角度的增大，边缘多晶金刚石数量先减少后增多，在倾斜角3.8°时边缘呈现完整的单晶外延生长特性.分析认为，边缘不同角度的倾斜面会改变周围电场强度和等离子体密度，导致到达衬底表面的含碳前驱物发生改变，倾斜面台阶表面的含碳前驱物浓度低于能形成层状台阶生长的临界浓度是减弱单晶金刚石生长过程中边缘效应的主要原因.