高分辨紫外电子轰击互补金属氧化物半导体器件的实验研究

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高分辨紫外电子轰击互补金属氧化物半导体器件的实验研究

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摘要: 基于真空紫外光电阴极和背照式互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器研制了紫外光响应的电子轰击CMOS(EBCMOS)器件，实现了EBCMOS器件在40 mlx光照度环境下的高分辨探测，电子图像灰度随电子能量的变化呈现出极好的线性关系.对器件成像分辨率测试的结果表明，在电场强度为5000 V/mm时，器件的空间分辨率可以达到25 lp/mm，与国际相关报道水平相当.研制的EBCMOS器件可直接在紫外弱光探测领域应用，如天文观察、高能物理、遥感测绘等，同时也可为下一步研制可见光和近红外敏感的EBCMOS器件提供参考.

关键词: 互补金属氧化物半导体；电子轰击增益；微光成像；紫外探测；

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现代物理学报

ISSN：3078-9443

所属期次： 2018.7

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