为提升近场热光伏发电系统的能源转换效率和发电功率，设计了Ⅲ-Ⅴ族半导体表面的矩形光栅结构，以实现从热发射器到热光伏电池的近场辐射热流选择性调制.使用在近红外波段具有表面等离子体激元特性的掺杂氧化锌作为热发射器，在GaSb热光伏电池表面添加亚微米二维光栅结构，在近场间距下形成与表面波耦合的陷光效应，由此有选择性地增强了电池能带内的光谱辐射热流.有别于以往类似研究中常用的等效近似方法，开展了时域有限差分方法模拟，能够严格考虑周期性结构细节，结合以涨落耗散理论为基础的Langevin方法，直接计算了复杂结构参与的近场辐射传热问题，以此揭示表面结构影响近场辐射传热的物理机理.结果显示使用带表面结构的薄膜GaSb电池，可使辐射热流的光谱峰值达到同温度远场黑体辐射源情况下的2.84倍，且热流增益区集中在波长略短于电池能带的窄波段区间，适应高效率、高功率热光伏系统对辐射传热设计的要求.