MEMS器件是机械电子系统未来的发展趋势。许多MEMS器件需要进行真空封装，从最大程度地减少残余气体，且真空封装水平的高低决定了器件的性能优劣甚至决定器件能否正常工作。常规的MEMS器件封装是在真空腔内放置块体吸气剂，占空间且容易产生微小颗粒污染。在器件的真空腔室内镀上吸气剂薄膜，吸气剂薄膜在器件高温键合的同时被激活，就可在后期维持真空腔内的真空度。非蒸散型吸气剂薄膜激活后在室温下即具有优异的吸气性能，应用于MEMS器件真空封装可以提高器件的寿命和可靠性。目前，提高非蒸散型吸气剂薄膜的吸气性能，降低其激活温度是国内外研究的焦点。本文简要介绍了非蒸散型吸气剂薄膜的吸气原理，从膜系材料和制备技术两方面分析了国内外研究现状。在膜材料方面，目前采用ⅣB族+ⅤB族组合的三元合金作为非蒸散型吸气剂薄膜的膜系材料。另外，在材料中掺入Fe、稀土元素等进行薄膜结构的修饰也是较常用的手段。值得指出的是，TiZrV合金薄膜是兼具较好的吸气性能和最低激活温度的非蒸散型吸气剂(NEG)薄膜。在制备技术方面，MEMS器件用非蒸散型吸气剂薄膜一般采用磁控溅射镀膜，磁控溅射镀膜工艺的关键是制备出柱状的纳米晶结构，该结构存在大量的晶界，可促进原子的扩散，降低激活温度。磁控溅射镀膜工艺的研究围绕靶材选择、基片温度、溅射电压、溅射气氛等。探索综合性能更优的新型材料体系和增大薄膜的比表面积仍然是目前非蒸散型吸气剂薄膜研究的关键。本文最后对非蒸散型吸气剂薄膜的研究趋势进行了展望，指出加入调节层的双层膜的激活性能和吸气性能优于单层膜，但调控机理有待明确，今后可以在TiZrV薄膜研究的基础上进一步进行双层薄膜的研究，也可横向拓展进行新型薄膜体系，如ZrCoRE等新型合金薄膜的研究。