摘要: 采用改进的溶胶-凝胶(sol-gel)法在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备PZT薄膜,研究不同的晶化处理方式对PZT薄膜的微观结构、表面形貌及电学性能的影响.实验结果表明:快速晶化处理方式更有利于薄膜沿(110)方向的择优生长;并且相对于常规晶化处理方式,快速晶化处理方式制备的PZT薄膜晶粒均匀,排布有序,可有效的提高薄膜的表面质量.电学性能测试结果表明,这种表面形貌可以有效地降低漏电流。