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压阻式小量程SOI压力敏感结构仿真分析
DOI:
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12
浏览: 426
作者:
揣荣岩 吕品 杨宇新 张冰
;
作者单位:
沈阳工业大学信息科学与工程学院
;
关键词:
压力敏感结构;小量程;灵敏度;非线性;过载;SOI技术
;
摘要:
针对小量程MEMS压力传感器存在提高灵敏度与降低非线性相互制约的问题,利用板壳理论对小量程压力敏感结构进行了仿真分析,给出了兼顾这两个相互制约技术指标的设计方法。基于SOI技术设计了小量程压力敏感结构,通过感压膜片断裂前与衬底适当接触可使其过载能力得到有效提高。仿真结果表明,所设计的量程为5 kPa的压力敏感芯片,其过载压力达到1 MPa,1 mA恒流源供电条件下,满量程输出为43.2 mV。
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