摘要: <111>硅外延过程中图形漂移是影响外延质量的一个重要参数,在IC制造过程中,由于外延后的图形漂移使得后续光刻图形对偏情况时有发生,影响产品质量。本文通过对Si晶体的结构进行分析,解释了外延生长过程中图形漂移的原理,验证了温度对图形漂移量的影响,并根据理论分析,提出了一种新的外延漂移量监控方式。