摘要: 手机等电子设备的电池模块VBAT&VBUS端由于工作电压多样和应用环境的电应力强,需要其保护器件TVS提供适应4.5/7/12/15/18/24/26 V电源电压。并且在配合OVP的保护方案时,不仅要求TVS击穿方向具有高功率密度低钳位电压的特点,对正向导通方向也提出了耐大电流冲击和低钳位电压的要求。分析PN结单向二极管和NPN结双向二极管的静态I-V特性和动态浪涌残压特性,开发了结合两种结构优点的TVS器件,该器件在提供低漏电流的同时可降低击穿电压,其峰值电流IPP大幅度提升,钳位电压VC也下降到被保护器件的安全区内。