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不同注量率质子辐照对CCD参数退化的影响分析
李豫东1,2,3 文林1,2,3 郭旗1,2,3 何承发1,2,3 周东1,2,3 冯婕1,2,3 张兴尧1,2,3 于新2
1.中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室;2.新疆电子信息材料与器件重点实验室;3.中国科学院新疆理化技术研究所
关键词: 质子;电荷耦合器件;辐射效应;注量率;缺陷
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