氮化镓GaN在射频RF功率放大器的应用
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作者: 刘晓文
作者单位: 贵州大学物理学院
关键词: 功率放大器;射频;氮化镓;兰格耦合器
摘要: 对于提供最佳功率、效率和带宽的权衡促进了各种不同的研发技巧和半导体技术。每一种不同拓扑和技术都有可能在半导体市场占据一席之地,这是因为它们每一个都有优势,这也是它们能够在当前生存的原因所在。这里关注几个值得信赖的结果,展现这些当前技术在实现高功率、效率和带宽时的可能性。