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氮化镓GaN在射频RF功率放大器的应用
DOI
:
,
PDF
下载:
87
浏览: 508
作者
:
刘晓文
;
作者单位
:
贵州大学物理学院
;
关键词
:
功率放大器
;
射频
;
氮化镓
;
兰格耦合器
;
摘要:
对于提供最佳功率、效率和带宽的权衡促进了各种不同的研发技巧和半导体技术。每一种不同拓扑和技术都有可能在半导体市场占据一席之地,这是因为它们每一个都有优势,这也是它们能够在当前生存的原因所在。这里关注几个值得信赖的结果,展现这些当前技术在实现高功率、效率和带宽时的可能性。
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