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Al预沉积层对金属有机物化学气相沉积方法在Si衬底上生长AlN缓冲层和GaN外延层的影响 下载：60 浏览：430

甄龙云1 彭鹏2 仇成功1 郑蓓蓉1 Antonios Armaou1,3 钟蓉1 《材料科学研究》 2020年11期

摘要:
采用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)在硅(Si)衬底制备铝/氮化铝/氮化镓(Al/AlN/GaN)多层薄膜,使用光学显微镜(OM)、原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)等手段表征AlN和GaN薄膜的微观结构和晶体质量,研究了TMAl流量对AlN薄膜和GaN薄膜的形核和生长机制的影响。结果表明,预沉积Al层能促进AlN的形核和生长,进而提高GaN外延层的薄膜质量。TMAl流量太低则预沉积Al层不充分,AlN缓冲层的质量取决于由形核长大的高结晶度AlN薄膜与在气氛中团聚长大并沉积的低结晶度AlN薄膜之间的竞争,AlN薄膜的质量随着TMAl流量的升高而提高,GaN薄膜的质量也随之提高。TMAl流量太高则预沉积Al层过厚,AlN缓冲层的质量取决于由形核长大的高结晶度AlN薄膜与Al-Si回融蚀刻之间的竞争,AlN薄膜的质量随着TMAl流量的升高而降低,GaN薄膜的质量也随之降低。

氧化物纳米结构的科学技术 下载：57 浏览：545

王中林 《纳米技术研究》 2022年4期

摘要:
我今天的报告题目是"纳米结构".题目比较宽,但是我讲得比较窄. 我们十年来的研究主要是在纳米方面.最早我们做的是碳纳米管传输性能的测量[1][2],后来做力学性能的测量[3]、场致发射性能的测量[4],又做纳米秤[3],到后来研究纳米颗粒的自组装[5][6].这些是我们十年前开始做的工作.近三年来,我们的研究主要是围绕着氧化物,特别是发现一些独特的生长机制[4],以及怎么样来理解这些不同寻常的生长过程.我们还花力气做纳米器件,更重要的是我们还在做一些纳米制造方面的工作,再加上最近的"纳米发电机"
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