纳米线的定位生长是实现纳米线量子器件寻址和集成的前提.结合自上而下的纳米加工和自下而上的自组装技术，通过分子束外延生长方法，在具有周期性凹槽结构的硅(001)图形衬底上首先低温生长硅锗薄膜然后升温退火，实现了有序锗硅纳米线在凹槽中的定位生长，锗硅纳米线的表面晶面为(105)晶面.详细研究了退火温度、硅锗的比例及图形周期对纳米线形成与否，以及纳米线尺寸的影响.